此次发布的新款1470nm芯片，在室温、连续电流25A下功率为10.08W, 代表该波段的单管芯片的最大功率首次跨入10W级别。即便在40℃的高温工作环境下，其最大功率仍能达到8.5W，展现出极佳的温度稳定性和可靠性，确保了终端设备在严苛工况下的持久高效运行。图1和图2分别展现了室温和40℃下的功率和电光转换效率与电流的关系，其中功率测量和电压测量均采用国家计量院校正后的仪器。

效率性能跨越式提升，赋能终端设备节能增效

效率是衡量激光芯片技术水平的金标准。瑞波光电此款新品在效率上实现了令人瞩目的飞跃：

• 在25℃室温、7W工作功率下，其电光转换效率（WPE）高达37.86%，超过市场同类产品水平。最大WPE达到41.73%。

• 在40℃环境、7W工作功率下，WPE仍能保持在33%的高位。

  
  

这一效率的显著提升，意味着终端设备能够以更低的能耗实现相同的激光输出，大幅降低了系统散热需求，从而有助于设备制造商设计出更紧凑、更节能、寿命更长的激光系统，有效降低综合运营成本。

图1：瑞波新型7W  1470nm 芯片 PI曲线及WPE曲线（25°C）

图2：瑞波新型7W  1470nm 芯片 PI曲线及WPE曲线（40°C）

卓越光束质量，优化系统集成与性能

除了高功率与高效率，该芯片在光束质量上也表现出色。采用190μm发光条宽设计，其在工作功率=7W时的快轴和慢轴方向的E95%能量收集全角分别为67度和9.1度。这种优异的光束质量为后续的光学整形与光纤耦合带来了较大便利，能够帮助系统集成商获得更高品质的输出光斑，提升最终应用的作业精度与效果。

瑞波光电始终致力于通过底层技术创新，推动半导体激光行业的进步。这款全新7W 1470nm芯片的成功研发，凝聚了我们的核心技术优势，它不仅重新定义了该功率等级的效率标杆，更重要的是，它将为我们的客户带来更具市场竞争力的产品。我们相信，它将成为医疗设备和工农业升级换代的理想选择。

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