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近日，比利时IMEC研究中心的团队发表了一项突破性研究，宣布他们成功研发出了一种新型的GaAs（砷化镓）纳米脊激光二极管。这种激光器通过全新的纳米脊工程方法实现了在300毫米硅（Si）晶圆上的单片集成，具有低阈值电流、高效率和大规模制造的潜力。
低阈值电流：实验中实现了最低仅为5毫安的阈值电流。 高输出功率：单片输出功率可超过1毫瓦。 窄激光线宽：激光线宽仅46 MHz。 可靠性：在室温条件下，连续波激光器经过至少500小时的测试，其性能仅出现轻微衰减，表现出卓越的可靠性。
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